筑波大学 数理物質系
藤田 淳一 教授
材料
Ga触媒によるCVD法による生成
・低温（300℃）でグラフェン膜の生成が可能
・大面積の生成が可能；約直径50mm
今技術の特徴
グラフェン膜の低温合成法は、プラズマによるものがあります。プラズマでのプロセスは、400℃であり、グラフェンの結晶性が劣ります。
本低温合成法では、低温300℃での合成が可能なため、基板上に直接グラフェン膜を成膜できます。
X線回折により、Dピークが、2Dピークに比べて従来のものより低くなり、結晶性が良好となっていることが判ります。
想定される用途
グラフェントランジスタ
企業などへのメッセージ
従来困難であった基板上にグラフェンが生成できます。また、共同研究のテーマとして以下の2点を希望します。
- プロトタイプグラフェントランジスタの設計
- グラフェントランジスタの作成
特許・主な論文
特許：5578639
論文：J. Fujita, Yosuke Miyazawa, Ryuichi Ueki, Mio Sasaki, and Takeshi Saito, Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 06GC01.
