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低温合成法によるグラフェン膜の直接基板上生成


無題50筑波大学 数理物質系
藤田 淳一 教授
材料

 

 

Ga触媒によるCVD法による生成
・低温(300℃)でグラフェン膜の生成が可能
・大面積の生成が可能;約直径50mm

無題51

今技術の特徴

グラフェン膜の低温合成法は、プラズマによるものがあります。プラズマでのプロセスは、400℃であり、グラフェンの結晶性が劣ります。
本低温合成法では、低温300℃での合成が可能なため、基板上に直接グラフェン膜を成膜できます。

無題52

X線回折により、Dピークが、2Dピークに比べて従来のものより低くなり、結晶性が良好となっていることが判ります。

 

想定される用途

グラフェントランジスタ

企業などへのメッセージ

従来困難であった基板上にグラフェンが生成できます。また、共同研究のテーマとして以下の2点を希望します。

  • プロトタイプグラフェントランジスタの設計
  • グラフェントランジスタの作成

特許・主な論文

特許:5578639
論文:J. Fujita, Yosuke Miyazawa, Ryuichi Ueki, Mio Sasaki, and Takeshi Saito, Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 06GC01.

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